找到了缺失的应用程序：稳健设计

忆阻器的技术和新用途摘要电阻存储器，也称为忆阻器，是一种

传统基于电荷的CMOS的新兴潜在继任者

记忆。忆阻器最近也被提议作为

有前途的候选几个额外的应用，例如

作为逻辑设计、传感、非易失性存储、神经形态

计算、物理不可控制函数（PUF）、内容可寻址存储器（CAM）和可重新配置计算。在里面

本文探讨了基于忆阻器技术实现的三种独特应用，特别是从

传感、逻辑、内存计算及其应用前景

解决方案。我们综述了太阳能电池健康监测和诊断，

描述建议的解决方案，并在

忆阻气体传感和内存计算。对于

气体传感器应用，以确定数量

一种基于

可接受的灵敏度变化和最小灵敏度

提供了保证金。这些“开箱即用”的新兴想法

用于忆阻器件在增强鲁棒性方面的应用

同时，如何满足稳健设计的要求

正在实现设备的非常规使用。为此

论文考虑了这种相互作用的一些例子。

索引术语忆阻器、逻辑设计、电阻RAM、气体

传感器

I.简介

忆阻器（记忆电阻器的组合）

最初由Leon Chua在1971年[1]基于

电路理论中的对称性考虑

通量＜I＞和电荷q。2009年，第一个物理实现

基于忆阻器的Ti02已经由

惠普的研究人员[2]。第一个制造的忆阻器件

主要由Ti02组成，分为两部分

区域：一个包含没有任何掺杂的Ti02的区域称为

“未掺杂区域”，另一个包含O！空缺

称为“掺杂区”。掺杂区的宽度为

w（被视为“状态变量”，作为其值

确定器件逻辑状态）并且具有低电阻。

相反，未掺杂区域具有高电阻。

因此，该装置的总电阻为

这两个电阻器的组合。当掺杂

区域宽度w达到器件的全长D

忆阻器将具有最低的电阻RoN和该状态

被称为国家I[2]。另一方面，未掺杂区域

具有D的将导致最高电阻RoFF

这意味着忆阻器处于状态0。图1显示了1-V特性的忆阻器。由此可见

状态ON具有低电阻状态（高斜率）和状态OFF

具有高阻力状态（低斜率）。电压“VSET”和

“VRESET”是开关忆阻器的阈值电压

分别处于“ON”和“OFF”状态。例如，如果

忆阻器被初始化为状态“OFF”，电压“VSET”

可以将其切换到状态“ON”，如果忆阻器处于“ON”状态，

电压“VRESET”可以将其变为“OFF”状态。设备

也可以处于其他可能的状态，即介于

“ON”和“OFF”基于通过的电流量

尽管人们对

惠普模型与蔡的实际联系[3]

尽管如此，忆阻器（以及一般的电阻器件

例如电阻式RAM）正在引起越来越多的兴趣

在研究界和一些应用

已提出。显然是第一个直接的应用程序

忆阻器是使它们成为新的非易失性存储器器件的基础[2][4][5]。也属于神经形态

计算被认为是

可以利用电阻来实现可编程

人工神经网络中的突触权重[6]。

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1.

8伏，。，，，st.lteOFF支柱关闭

Vm值

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元音M

图1:Memristor的I-V特性

然而，忆阻器尚未探索出改变的潜力

其他几个应用程序的范例。近期作品

作者展示了如何嵌入忆阻器

在太阳能电池阵列[7]中，它还可以用于

memroy[8]中的感应，最后在新的情况下

记忆中的逻辑范式[9]。

本文是对所进行的研究的总结

主要涉及三个应用领域

 
笔记